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IDT10494S10C

更新时间: 2024-09-25 03:43:55
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艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器信息通信管理
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9页 1105K
描述
HIGH-SPEED BiCMOS ECL STATIC RAM 64K (16K】4-BIT) SRAM

IDT10494S10C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
针数:28Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最长访问时间:10 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-CDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:35.56 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
负电源额定电压:-5.2 V功能数量:1
端子数量:28字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:75 °C最低工作温度:
组织:16KX4输出特性:OPEN-EMITTER
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:-5.2 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
子类别:SRAMs表面贴装:NO
技术:BICMOS温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

IDT10494S10C 数据手册

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