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IDD09E60XT

更新时间: 2024-11-21 12:58:03
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管开关PC软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 19.3A, 600V V(RRM), Silicon, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, DPAK-3

IDD09E60XT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PSSO-G2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84应用:FAST SOFT RECOVERY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流:40 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:19.3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:57.7 W最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向恢复时间:0.075 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IDD09E60XT 数据手册

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IDD09E60  
Fast Switching EmCon Diode  
Product Summary  
Feature  
V
600  
9
V
A
V
RRM  
600 V EmCon technology  
Fast recovery  
Soft switching  
Low reverse recovery charge  
Low forward voltage  
175°C operating temperature  
Easy paralleling  
I
F
V
T
1.5  
175  
F
°C  
jmax  
Type  
Package  
Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3  
Q67040-S4379  
NC  
C
A
IDD09E60  
P-TO252-3-1  
D09E60  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Continous forward current  
Symbol  
Value  
600  
Unit  
V
A
V
RRM  
I
F
T =25°C  
19.3  
13  
C
T =90°C  
C
Surge non repetitive forward current  
I
I
40  
FSM  
FRM  
T =25°C, t =10 ms, sine halfwave  
C
p
Maximum repetitive forward current  
29.5  
T =25°C, t limited by T  
, D=0.5  
jmax  
C
p
W
Power dissipation  
P
tot  
T =25°C  
57.7  
32.7  
C
T =90°C  
C
-55...+175  
255  
°C  
°C  
Operating and storage temperature  
T , T  
j stg  
S
Soldering temperature  
T
for 10s (according to JEDEC J-STD-020A)  
Page 1  
Rev.2  
2003-07-31  

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