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IDD09SG60CXTMA1

更新时间： 2024-11-25 15:45:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 729K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 9A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IDD09SG60CXTMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：1 week
风险等级：8.23应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON CARBIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.1 VJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：42 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：9 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

IDD09SG60CXTMA1 数据手册

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IDD09SG60C  
3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode  
Features  
Product Summary  
• Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  
• Switching behavior benchmark  
VDC  
600  
15  
9
V
nC  
A
QC  
• No reverse recovery / No forward recovery  
• Temperature independent switching behavior  
• High surge current capability  
IF; TC< 130 °C  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Breakdown voltage tested at 20mA2)  
• Optimized for high temperature operation  
• Lowest Figure of Merit QC/IF  
thinQ! 3G Diode designed for fast switching applications like:  
• SMPS e.g.; CCM PFC  
• Motor Drives; Solar Applications; UPS  
Type  
Package  
Marking  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
IDD09SG60C  
PG-TO252-3  
D09G60C  
n.c.  
A
C
Maximum ratings  
Parameter  
Value  
Symbol Conditions  
Unit  
I F  
T C<130 °C  
Continuous forward current  
9
49  
A
I F,SM  
T C=25 °C, t p=10 ms  
T C=150 °C, t p=10 ms  
T C=25 °C, t p=10 µs  
T C=25 °C, t p=10 ms  
T C=150 °C, t p=10 ms  
T j=25 °C  
Surge non-repetitive forward current,  
sine halfwave  
42  
I F,max  
Non-repetitive peak forward current  
400  
12  
∫i2dt  
A2s  
i²t value  
9
VRRM  
dv/ dt  
Ptot  
Repetitive peak reverse voltage  
Diode dv/dt ruggedness  
600  
50  
V
VR= 0….480 V  
V/ns  
W
T C=25 °C  
Power dissipation  
115  
-55 ... 175  
260  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
°C  
Soldering temperature, reflow  
soldering (max)  
T sold  
reflow MSL1  
page 1  
Rev. 2.4  
2013-02-11  
1234567

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IDD09SG60CXTMA1 替代型号

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