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ICT-18

更新时间: 2024-09-18 22:05:07
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美高森美 - MICROSEMI /
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2页 75K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

ICT-18 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-MALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.84最小击穿电压:21.2 V
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-202AAJESD-30 代码:O-MALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
参考标准:MIL-19500最大重复峰值反向电压:18 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

ICT-18 数据手册

 浏览型号ICT-18的Datasheet PDF文件第2页 

ICT-18 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N6361 MICROSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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DIP18, IC SOCKET
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IC Socket, DIP18, 18 Contact(s)
ICT-183-SP132-TT 3M

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DIP18, IC SOCKET
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IC Socket, DIP18, 18 Contact(s)
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DIP18, IC SOCKET
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