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ICS9DB803DGLFT

更新时间： 2024-01-20 09:01:28
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 驱动光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 292K
描述
PLL Based Clock Driver, 9DB Series, 8 True Output(s), 0 Inverted Output(s), PDSO48, 6.10 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-153, TSSOP-48

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ICS9DB803DGLFT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP48,.3,20针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.24
系列：9DB输入调节：DIFFERENTIAL
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e3
长度：12.5 mm逻辑集成电路类型：PLL BASED CLOCK DRIVER
湿度敏感等级：1功能数量：1
反相输出次数：端子数量：48
实输出次数：8最高工作温度：70 °C
最低工作温度：输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP48,.3,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
Same Edge Skew-Max（tskwd）：0.05 ns座面最大高度：1.2 mm
子类别：Clock Drivers最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：6.1 mm
Base Number Matches：1

ICS9DB803DGLFT 数据手册

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ICS9DB803D  
EIGHT OUTPUT DIFFERENTIAL BUFFER FOR PCIE GEN1 AND GEN2  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses above the ratings listed below can cause permanent damage to the ICS9DB803D. These ratings, which are  
standard values for IDT commercially rated parts, are stress ratings only. Functional operation of the device at these or any  
other conditions above those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods can affect product reliability. Electrical parameters are guaranteed only over  
the recommended operating temperature range.  
Symbol  
VDDA/R  
VDD  
Parameter  
Min  
Max  
4.6  
4.6  
Units  
3.3V Core Supply Voltage  
3.3V Logic Supply Voltage  
Input Low Voltage  
V
V
V
VIL  
GND-0.5  
VIH  
Ts  
Input High Voltage  
VDD+0.5V  
V
Storage Temperature  
Commerical Operating Range  
Industrial Operating Range  
Case Temperature  
-65  
0
-40  
150  
70  
85  
°C  
°C  
°C  
°C  
Tambient  
Tcase  
115  
Input ESD protection  
human body model  
ESD prot  
2000  
V
Electrical Characteristics–Clock Input Parameters  
TA = Tambient for the desired operating range, Supply Voltage VDD = 3.3 V +/-5%  
PARAMETER  
SYMBOL  
CONDITIONS  
MIN  
600  
TYP  
800  
MAX  
1150  
UNITS NOTES  
Input High Voltage -  
DIF_IN  
Input Low Voltage -  
DIF_IN  
Input Common Mode  
Voltage - DIF_IN  
Differential inputs  
(single-ended measurement)  
Differential inputs  
VIHDIF  
mV  
mV  
mV  
mV  
V/ns  
1
1
VILDIF  
VCOM  
V
SS - 300  
300  
0
300  
1000  
1450  
8
(single-ended measurement)  
Common Mode Input Voltage  
1
Peak to Peak value  
(single-ended measurement)  
Input Amplitude - DIF_IN VSWING  
300  
1
Input Slew Rate - DIF_IN  
Input Leakage Current  
dv/dt  
Measured differentially  
0.4  
1,2  
IIN  
VIN = VDD , VIN = GND  
-5  
5
uA  
%
1
1
Input Duty Cycle  
Input Jitter - Cycle to  
Cycle  
dtin  
Measurement from differential wavefrom  
45  
55  
JDIFIn  
Differential Measurement  
0
125  
ps  
1
1 Guaranteed by design and characterization, not 100% tested in production.  
2Slew rate measured through Vswing min centered around differential zero  
IDT® EIGHT OUTPUT DIFFERENTIAL BUFFER FOR PCIE GEN1 AND GEN2  
7
ICS9DB803D  
REV N 071013  
1...45678910...22

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