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IC41C16100S-60KG

更新时间： 2024-02-14 11:01:55

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	663K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-42

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IC41C16100S-60KG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOJ, SOJ42,.44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	访问模式：	EDO PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J42
JESD-609代码：	e3	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ42,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IC41C16100S-60KG 数据手册

IC41C16100S

IC41LV16100S

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS⁽¹⁾

Symbol Parameters

Rating

Unit

V^T

Voltage on Any Pin Relative to GND

–1.0 to +7.0

3.3V

–0.5 to +4.6

V^CC

Supply Voltage

–1.0 to +7.0

–0.5 to +4.6

3.3V

IOUT

Output Current

Power Dissipation

Commercial Operation Temperature

0 to +70

°C

Industrial Operationg Temperature

–40 to +85

°C

TSTG

Storage Temperature

–55 to +125

°C

Note:

1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent

damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these

or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is

not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect

reliability.

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (Voltages are referenced to GND.)

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Unit

VCC

Supply Voltage

4.5

5.0

5.5

3.3V

3.0

3.3

3.6

VIH

V^IL

Input High Voltage

Input Low Voltage

2.4

2.0

—

VCC + 1.0

VCC + 0.3

3.3V

–1.0

—

0.8

3.3V

–0.3

—

0.8

Commercial Ambient Temperature

Industrial Ambient Temperature

—

°C

–40

CAPACITANCE^(1,2)

Symbol

Parameter

Input Capacitance: A0-A9

Max.

Unit

CIN1

CIN2

CIO

Input Capacitance: RAS, UCAS, LCAS, WE, OE

Data Input/Output Capacitance: I/O0-I/O15

Notes:

1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.

2. Test conditions: TA = 25°C, f = 1 MHz.

Integrated Circuit Solution Inc.

DR010-0D 11/26/2004

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