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IBM14P64726BAA-12

更新时间: 2024-01-07 04:33:28
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 603K
描述
Cache Tag SRAM Module, 64KX72, 12ns, CMOS

IBM14P64726BAA-12 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM182
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:12 ns其他特性:16K X 15 TAG
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N182
内存密度:4718592 bit内存集成电路类型:CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:182
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX72
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM182封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.29 A最小待机电流:4.75 V
子类别:SRAMs最大压摆率:1.68 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IBM14P64726BAA-12 数据手册

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