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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM182 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 9 ns |
| 其他特性： | 16K X 15 TAG | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N182 | 内存密度： | 2359296 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE TAG SRAM MODULE | 内存宽度： | 72 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 182 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX72 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM182 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3,5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.05 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.9 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IBM14P32726BAA-12 | IBM |
获取价格 |
Cache Tag SRAM Module, 32KX72, 12ns, CMOS |
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| IBM14P64646BAA-12 | IBM |
获取价格 |
Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 12ns, CMOS |
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| IBM14P64724DPA-11 | ETC |
获取价格 |
x72 Linear Burst Mode SRAM Module |
|
| IBM14P64724DPA-9 | ETC |
获取价格 |
x72 Linear Burst Mode SRAM Module |
|
| IBM14P64726BAA-12 | IBM |
获取价格 |
Cache Tag SRAM Module, 64KX72, 12ns, CMOS |
|
| IBM16M32644HGA-10HT | IBM |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, GOLD CONTACTS, DIMM-184 |
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| IBM16M32644HGA-8ET | IBM |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, GOLD CONTACTS, DIMM-184 |
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| IBM16M32734HGA-10HT | IBM |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 32MX72, 0.8ns, CMOS, GOLD CONTACTS, DIMM-184 |
|
| IBM16M32734HGA-8ET | IBM |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 32MX72, 0.8ns, CMOS, GOLD CONTACTS, DIMM-184 |
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| IBM16M64644HGA-10HT | IBM |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, GOLD CONTACTS, DIMM-184 |
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