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IBM04364AQLAD-6

更新时间： 2024-01-11 02:28:04

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描述
x36 Fast Synchronous SRAM

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IBM04364AQLAD-6 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	6 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	128KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.9,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.679 mm	最大待机电流：	0.15 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.575 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IBM04364AQLAD-6 数据手册

IBM04184AQLAD

IBM04364AQLAD

Preliminary

128K x 36 & 256K x 18 SRAM

Features

• 128K x 36 or 256K x 18 Organizations

• Common I/O

•

CMOS Technology

• Asynchronous Output Enable and Power Down

Inputs

• Synchronous Register Latch Mode Of Operation

with Self-Timed Late Write

• Boundary Scan using limited set of JTAG 1149.1

functions

• Single Differential Input and Output Clock

• Byte Write Capability & Global Write Enable

• +3.3V Power Supply, 1.9V V

Ground

, V

REF

DDQ

• 7 x 17 Bump Ball Grid Array Package with

SRAM JEDEC Standard Pinout and Boundary

SCAN Order

• Pseudo HSTL Input and Output levels

• Registered Addresses, Write Enables, Sync

Select and Data Ins

• Programmable Impedance Output Drivers

Description

The IBM04184AQLAD and IBM04364AQLAD 4Mb

SRAMS are Synchronous Register Latch Mode, high

performance CMOS Static Random Access Memo-

ries that are versatile, wide I/O, and achieve 5.0ns

access and cycle times. Dual differential K clocks

are used to initiate the read/write operation, and all

internal operations are self-timed. At the rising edge

of the K Clock, all Addresses, Write-Enables, Sync

Select, and Data Ins are registered internally. An

internal write buffer allows write data to follow one

cycle after addresses and controls. The chip is oper-

ated with a +3.3V core power supply, has a 1.9V or

1.5V output power supply, and is compatible with

HSTL I/O interfaces and 1.5V I/O levels as well.

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

03K4297.E35614

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IBM04364ARLAD-6N	IBM	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 7ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM04364BSLAA-7	ETC	获取价格	x36 Synchronous SRAM
IBM04364BSLAC-7	IBM	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM04364BSLAD-7(D)	IBM	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM04368CBLBC-28	IBM	获取价格	Standard SRAM, 256KX36, 1.8ns, CMOS, PBGA153, BGA-153
IBM0436A11NLAA-3N	IBM	获取价格	Standard SRAM, 32KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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