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IBM0436A41QLAA-5

更新时间： 2024-02-04 16:26:05

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描述
x36 Fast Synchronous SRAM

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IBM0436A41QLAA-5 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.86
最长访问时间：	2.25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	128KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.679 mm	最大待机电流：	0.065 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.37 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IBM0436A41QLAA-5 数据手册

IBM0418A81QLAA IBM0436A81QLAA

IBM0418A41QLAA IBM0436A41QLAA

8Mb (256Kx36 & 512x18) and 4Mb (128Kx36 & 256Kx18) SRAM

Features

• 8Mb: 256K x 36 or 512K x 18 organizations

4Mb: 128K x 36 or 256K x 18 organizations

• Registered Outputs

• Common I/O

• 0.25 Micron CMOS technology

• Asynchronous Output Enable a

• Synchronous Power Down Inputs

• Synchronous Pipeline Mode of Operation with

Self-Timed Late Write

• Single Differential Extended HSTL Clock

• Boundary Scan using limited set of JTAG

1149.1 functions

• +3.3V Power Supply, Ground, 1.5V V

, and

DDQ

• Byte Write Capability and Global Write Enable

0.75V V

REF

• 7 x 17 Bump Ball Grid Array Package with

SRAM JEDEC Standard Pinout and Boundary

SCAN Order

• HSTL Inputs and Output levels

• Registered Addresses, Write Enables, Synchro-

nous Select, and Data Ins

Description

The 4Mb and 8Mb SRAMs—IBM0436A41QLAA,

IBM0418A41QLAA, IBM0418A81QLAA, and

IBM0436A81QLAA—are Synchronous Pipeline

Mode, high-performance CMOS Static Random

Access Memories that are versatile, have wide I/O,

and can achieve 3ns cycle times. Differential K

clocks are used to initiate the read/write operation

and all internal operations are self-timed. At the ris-

ing edge of the K clock, all Addresses, Write-

Enables, Sync Select, and Data Ins are registered

internally. Data Outs are updated from output regis-

ters off the next rising edge of the K clock. An inter-

nal Write buffer allows write data to follow one cycle

after addresses and controls. The chip is operated

with a single +3.3V power supply and is compatible

with HSTL I/O interfaces.

trrh3316.06

12/00

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IBM0436A41QLAB-3F	IBM	Standard SRAM, 128KX36, 1.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	获取价格
IBM0436A41QLAB-3N	IBM	Standard SRAM, 128KX36, 1.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	获取价格
IBM0436A41QLAB-3P	IBM	Standard SRAM, 128KX36, 1.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	获取价格
IBM0436A41QLAB-4	IBM	Standard SRAM, 128KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	获取价格
IBM0436A41QLAB-5	ETC	x36 Fast Synchronous SRAM	获取价格

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