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IBM0117405T1-50 PDF预览

IBM0117405T1-50

更新时间： 2024-09-27 14:51:19
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 372K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 X 0.675 INCH, TSOP2-26/24

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IBM0117405T1-50 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP24/26,.36
针数：26Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G24JESD-609代码：e0
长度：17.14 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP24/26,.36封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.095 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

IBM0117405T1-50 数据手册

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Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)  
IBM01174054M  
x 411/11, 5.0V, EDOMMDD64DSU-001012331. IBM0117405P4M x 411/11, 3.3V, EDO, LP, SRMMDD64DSU-001012331. IBM0117405M4M x 411/11, 5.0V, EDO, LP, SRMMDD64DSU-001012331. IBM0117405B4M x 411/11, 3.3V, EDOMMDD64DSU-001012331.  
IBM0117405 IBM0117405M  
IBM0117405B IBM0117405P  
4M x 4 11/11 EDO DRAM  
Features  
• Low Power Dissipation  
• 4,194,304 word by 4 bit organization  
- Active (max) - 75 mA / 60 mA  
- Standby: TTL Inputs (max) - 1.0 mA  
- Standby: CMOS Inputs (max)  
- 1.0 mA (SP version)  
• Single 3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply  
• Standard Power (SP) and Low Power (LP)  
- 0.1 mA (LP version)  
- Self Refresh (LP version only)  
- 200µA (3.3 Volt)  
• 2048 Refresh Cycles  
- 32 ms Refresh Rate (SP version)  
- 128 ms Refresh Rate (LP version)  
- 300µA (5.0 Volt)  
• High Performance:  
• Extended Data Out (Hyper Page) Mode  
• Read-Modify-Write  
-50  
50  
13  
25  
84  
20  
-60 Units  
tRAC  
tCAC  
tAA  
RAS Access Time  
60  
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
• RAS Only and CAS before RAS Refresh  
• Hidden Refresh  
CAS Access Time  
Column Address Access Time  
Cycle Time  
30  
tRC  
104  
25  
• Package: SOJ 26/24 (300mil x 675mil)  
TSOP-26/24 (300mil x 675mil)  
tHPC  
EDO (Hyper Page) Mode Cycle Time  
Description  
vide high performance, low power dissipation, and  
high reliability. The devices operate with a single  
3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply. The 22  
addresses required to access any bit of data are  
multiplexed (11 are strobed with RAS, 11 are  
strobed with CAS).  
The IBM0117405 is a dynamic RAM organized  
4,194,304 words by 4 bits, which has a very low  
“sleep mode” power consumption option. These  
devices are fabricated in IBM’s advanced 0.5µm  
CMOS silicon gate process technology. The circuit  
and process have been carefully designed to pro-  
Pin Assignments (Top View)  
Pin Description  
RAS  
CAS  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Read/Write Input  
Address Inputs  
Vcc  
I/O0  
I/O1  
WE  
RAS  
NC  
1
2
3
4
5
6
26  
25  
24  
23  
22  
21  
Vss  
I/O3  
I/O2  
CAS  
OE  
WE  
A0 - A10  
OE  
Output Enable  
I/O0 - I/O3  
VCC  
Data Input/Output  
Power (+3.3V or +5.0V)  
Ground  
A9  
VSS  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
8
9
19  
18  
17  
16  
15  
14  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
Vss  
10  
11  
12  
13  
Vcc  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
28H4726  
SA14-4228-05  
Revised 4/97  
1234567...31

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IBM0117405T1-70 ETC

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 		x4 EDO Page Mode DRAM
IBM0117800BT3-70 ETC

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 		x8 Fast Page Mode DRAM
IBM0117800MT3-50 IBM

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 		暂无描述
IBM0117800MT3-70 ETC

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 		x8 Fast Page Mode DRAM
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 		Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 X 0.725 INCH, TSOP2-28
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