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HZS13NB3TD

更新时间: 2024-11-02 13:08:31
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瑞萨 - RENESAS 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
7页 57K
描述
0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34, DO-34, 2 PIN

HZS13NB3TD 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-34
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.78
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

HZS13NB3TD 数据手册

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HZS-N Series  
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply  
REJ03G0185-0100Z  
(Previous: ADE-208-124)  
Rev.1.00  
Mar.11.2004  
Features  
Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 400 mW are ideally suited for stabilized  
power supply, etc.  
Wide spectrum from 1.88 V through 38.52 V of zener voltage provide flexible application.  
Suitable for 5mm-pitch high speed automatic insertion.  
Ordering Information  
Type No.  
Mark  
Package Code  
HZS-N Series  
Type No.  
MHD  
Pin Arrangement  
B
2
2
1
Type No.  
Cathode band  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.1.00, Mar.11.2004, page 1 of 6  

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