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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.57 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 3.23 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 3.88% | 工作测试电流： | 5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HZM3.3NB1TL-E | RENESAS |
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3.3V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, MPAK-3 |
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| HZM3.3NB1TR | RENESAS |
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3.23V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, MPAK-3 |
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| HZM3.3NB1TR-E | RENESAS |
获取价格 |
HZM3.3NB1TR-E |
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| HZM3.3NB2 | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
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| HZM3.3NB2 | HITACHI |
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Zener Diode, 3.375V V(Z), 3.7037%, 0.2W, Silicon, Unidirectional |
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| HZM3.3NB2TL | RENESAS |
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3.38 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, MPAK-3 |
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| HZM3.3NB2TR | RENESAS |
获取价格 |
3.3V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, MPAK-3 |
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| HZM3.3NBTL | HITACHI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 6.06%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SC-59A, 3 PIN |
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| HZM3.3NBTR | RENESAS |
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3.3V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, MPAK-3 |
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| HZM3.3WA | RENESAS |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODE FOR SURGE ABSORB |
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