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HZK6ATR-E

更新时间: 2024-11-09 19:47:19
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS ISM频段测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 149K
描述
0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

HZK6ATR-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:TransferredReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.39外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:20工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

HZK6ATR-E 数据手册

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