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HZ4BLLTE

更新时间: 2024-11-12 13:00:55
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
7页 99K
描述
0.25W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

HZ4BLLTE 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.57
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL工作测试电流:0.5 mA
Base Number Matches:1

HZ4BLLTE 数据手册

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HZ-N Series  
Silicon Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply  
REJ03G1625-0100  
Rev.1.00  
Mar 25, 2008  
Features  
Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 500 mW are ideally suited for stabilized  
power supply, etc.  
Wide spectrum from 1.9 V through 38 V of zener voltage provide flexible application.  
Ordering Information  
Part No.  
Cathode band  
Package Name  
Package Code  
HZ-N Series  
Black  
DO-35  
GRZZ0002ZB-A  
Pin Arrangement  
7
B 2  
2
1
Part No.  
Cathode band  
1. Cathode  
2. Anode  
REJ03G1625-0100 Rev.1.00 Mar 25, 2008  
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