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HYS64T64020HDL-3S-B

更新时间: 2024-11-21 20:31:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
62页 3352K
描述
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200

HYS64T64020HDL-3S-B 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:MODULE
包装说明:DIMM,针数:200
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.56
Is Samacsys:N访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.45 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XDMA-N200内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:200字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:65 °C最低工作温度:
组织:64MX64封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HYS64T64020HDL-3S-B 数据手册

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Data Sheet, Rev 1.00, Jun. 2005  
HYS64T32000HDL–[2.5/…/5]–B  
HYS64T64020HDL–[2.5/…/5]–B  
HYS64T128021HDL–[2.5/…/5]–B  
200-Pin SO-DIMM DDR2 SDRAM Modules  
DDR2 SDRAM  
SO-DIMM SDRAM  
RoHS Compliant  
Memory Products  
N e v e r s t o p t h i n k i n g .  

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