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HY62U8400ALLT2-100

更新时间： 2024-01-24 17:14:29

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	180K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32

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HY62U8400ALLT2-100 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP32,.46	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP32,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.035 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HY62U8400ALLT2-100 数据手册

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HY62U8400A Series

512Kx8bit CMOS SRAM

Document Title

512K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM

Revision History

Revision No History

Draft Date

Remark

Final

Revision History Insert

Revised

Jul.26.2000

- Insert 70ns Part

- Improved standby current

Isb1 : 30uA ¡ 2æ0uA

Revised

Aug.04.2000

Dec.04.2000

Final

- Change Iccdr Value : 15uA => 20uA

Marking Information Add

Revised

E.T (-25~85°C), I.T (-40~85°C) Part Insert

AC Test Condition Add : 5pF Test Load

tCLZ Value Change : 15ns/20ns - > 10ns

VIH max : Vcc + 0.2V => Vcc + 0.3V

VIL min : - 0.2V => - 0.3V

Changed Logo

Apr.30.2001

Final

HYUNDAI -> hynix

Marking Information Change

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility

for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 07 / Apr. 2001

Hynix Semiconductor

12 3 4 5 6 7...11

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