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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 55 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62U8400AT2-85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 |
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| HY62U8512LLST-10 | HYNIX |
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Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
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| HY62U8512LLST-12I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
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| HY62U8512LLST-85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
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| HY62U8512LST-12 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
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| HY62U8512LST-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
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| HY62U8512LST-85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
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| HY62UF08401C | HYNIX |
获取价格 |
High Speed, Super Low Power and 4Mbit Full CMOS SRAM |
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| HY62UF08401C-DS(I) | HYNIX |
获取价格 |
High Speed, Super Low Power and 4Mbit Full CMOS SRAM |
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| HY62UF08401C-DS55I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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