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HY62SF16806A-DM10C

更新时间： 2024-01-04 16:08:31

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HY62SF16806A-DM10C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	8.5 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.95 mm
最大待机电流：	1e-7 A	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.4 mm
Base Number Matches：	1

HY62SF16806A Series

512Kx16bit full CMOS SRAM

Document Title

512K x16 bit 1.8V Super Low Power Full CMOS slow SRAM

Revision History

Revision No History

Draft Date

Remark

Initial Draft

Apr.10.2001 Preliminary

Apr.28.2001 Preliminary

Change Logo

- Hyundai à Hynix

AC Parameter is changed

- tCHZ : 30ns --> 20ns

- tBHZ : 30ns --> 20ns

- tOHZ : 30ns --> 20ns

Jul.18.2001

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.02 /July. 2001

Hynix Semiconductor

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