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HY62SF16806A-SM85I

更新时间: 2024-01-16 11:34:29
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 107K
描述
x16 SRAM

HY62SF16806A-SM85I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:VFBGA, BGA48,6X8,30
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e0长度:8.5 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:48字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:0.95 mm
最小待机电流:1.2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.025 mA最大供电电压 (Vsup):2.3 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.4 mmBase Number Matches:1

HY62SF16806A-SM85I 数据手册

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HY62SF16806A Series  
512Kx16bit full CMOS SRAM  
Document Title  
512K x16 bit 1.8V Super Low Power Full CMOS slow SRAM  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
00  
01  
Initial Draft  
Apr.10.2001 Preliminary  
Apr.28.2001 Preliminary  
Change Logo  
- Hyundai à Hynix  
02  
AC Parameter is changed  
- tCHZ : 30ns --> 20ns  
- tBHZ : 30ns --> 20ns  
- tOHZ : 30ns --> 20ns  
Jul.18.2001  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.02 /July. 2001  
Hynix Semiconductor  

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