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HY6264AJ-10I

更新时间: 2024-11-30 18:57:07
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS

HY6264AJ-10I 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SOJ,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:8KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HY6264AJ-10I 数据手册

  

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