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HY6264ALJ-100

更新时间： 2024-11-30 14:42:39

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海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	128K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

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HY6264ALJ-100 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.69
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
长度：	18.39 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.794 mm	最小待机电流：	2 V
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8.69 mm
Base Number Matches：	1

HY6264ALJ-100 数据手册

HY6264A Series

8Kx8bit CMOS SRAM

minimize current drain is unnecessary for the

HY6264A Series.

DESCRIPTION

FEATURES

The HY6264A is a high-speed, low power and

8,192x8-bits CMOS static RAM fabricated using

Hyundai's high performance twin tub CMOS

process technology. This high reliability process

coupled with innovative circuit design techniques,

yields maximum access time of 70ns. The

HY6264A has a data retention mode that

guarantees data to remain valid at the minimum

power supply voltage of 2.0 volt. Using the CMOS

technology, supply voltage from 2.0 to 5.5 volt

has little effect on supply current in the data

retention mode. Reducing the supply voltage to

Fully static operation and Tri-state outputs

TTL compatible inputs and outputs

Low power consumption

Battery backup(L/LL-part)

-2.0V(min.) data retention

Standard pin configuration

-28 pin 600 mil PDIP

-28 pin 330 mil SOP

Product

No.

HY6264A

Voltage

(V)

Speed

(ns)

70/85/100

Operation

Current(mA)

Standby Current(uA)

Temperature

(°C)

0~70(Normal)

100

5.0

1mA

Note 1. Current value is max.

PIN CONNECTION

BLOCK DIAGRAM

ROW DECODER

I/O1

Vcc

A12

Vcc

/WE

CS2

/WE

CS2

MEMORY ARRAY

128x512

A11

/OE

A10

/CS1

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

A11

/OE

A10

/CS1

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

A12

I/O1

I/O2

I/O3

Vss

I/O8

I/O1

I/O2

I/O3

Vss

/CS1

CS2

/OE

PDIP

SOP

/WE

PIN DESCRIPTION

Pin Name

/CS1

Pin Function

Chip Select 1

Chip Select 2

Write Enable

Output Enable

Address Inputs

Pin Name

Pin Function

Data Input/Output

Power(+5V)

I/O1-I/O8

Vcc

CS2

/WE

Vss

Ground

/OE

No Connect

A0-A12

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.02 /Jan.99

Hyundai Semiconductor

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY6264ALJ-10I	ETC	获取价格	x8 SRAM
HY6264ALJ-12	ETC	获取价格	x8 SRAM
HY6264ALJ-120	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
HY6264ALJ-12I	ETC	获取价格	x8 SRAM
HY6264ALJ-15	ETC	获取价格	x8 SRAM
HY6264ALJ-70I	ETC	获取价格	x8 SRAM
HY6264ALJ-85	ETC	获取价格	x8 SRAM
HY6264ALJ-85I	ETC	获取价格	x8 SRAM
HY6264ALLJ-100	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
HY6264ALLJ-10I	ETC	获取价格	x8 SRAM

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