5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | TSOP1, TSSOP28,.53,22 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | 其他特性： | BATTERY BACKUP |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 11.8 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.00002 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.55 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62256BLLT1-70 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
|
| HY62256BLLT1-70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
|
| HY62256BLLT1-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
|
| HY62256BLLT1-85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
|
| HY62256BLP-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28 |
|
| HY62256BLP-10I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HY62256BLP-55 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HY62256BLP-55I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| HY62256BLP70 | ETC |
获取价格 |
IC-256K CMOS SRAM |
|
| HY62256BLP-70I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
