是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.89 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 85 ns | 其他特性: | BATTERY BACKUP |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.826 mm |
最大待机电流: | 0.00005 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY62256BLR1-10 | ETC |
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x8 SRAM | |
HY62256BLR1-10I | ETC |
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x8 SRAM | |
HY62256BLR1-55 | ETC |
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x8 SRAM | |
HY62256BLR1-55I | ETC |
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x8 SRAM | |
HY62256BLR1-70 | ETC |
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x8 SRAM | |
HY62256BLR1-70I | ETC |
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x8 SRAM | |
HY62256BLR1-85 | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 | |
HY62256BLR1-85I | ETC |
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x8 SRAM | |
HY62256BLT1-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
HY62256BLT1-10I | ETC |
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x8 SRAM |