是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP1-R, TSSOP28,.53,22 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.89 | 最长访问时间: | 55 ns |
其他特性: | BATTERY BACKUP | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 11.8 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1-R | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.00005 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.55 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY62256ALR1-70 | ETC |
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x8 SRAM | |
HY62256ALR1-70I | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 | |
HY62256ALR1-85 | ETC |
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x8 SRAM | |
HY62256ALR1-85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 | |
HY62256ALR2-10I | HYNIX |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 | |
HY62256ALR2-I | HYNIX |
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32Kx8bit CMOS SRAM | |
HY62256ALT1 | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM | |
HY62256ALT1-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
HY62256ALT1-10I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
HY62256ALT1-120 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP1-28 |