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HY5W2A6CSF-HF

更新时间: 2024-02-01 12:49:15
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海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 407K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

HY5W2A6CSF-HF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:FBGA, BGA54,9X9,32针数:54
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B54长度:10.5 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-25 °C组织:8MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.8/2.5,2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.0005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.165 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8.3 mm
Base Number Matches:1

HY5W2A6CSF-HF 数据手册

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HY5W2A6C(L/S)F-F / HY57W2A1620HC(L/S)T -F  
HY5W26CF-F / HY57W281620HCT-F  
BALL CONFIGURATION  
9
8
2
7
3
1
A
B
C
D
E
F
54 Ball  
FBGA  
0.8 mm  
Ball Pitch  
G
H
J
< Bottom View >  
1
2
3
7
8
9
A
B
C
D
E
F
VSS  
DQ14  
DQ12  
DQ10  
DQ8  
UDQM  
NC  
DQ15  
DQ13  
DQ11  
DQ9  
NC  
VSSQ  
VDDQ  
VSSQ  
VDDQ  
VSS  
CKE  
A9  
VDDQ  
DQ0  
VDD  
VSSQ  
VDDQ  
VSSQ  
VDD  
/CAS  
BA0  
A0  
DQ2  
DQ4  
DQ6  
DQ1  
DQ3  
DQ5  
DQ7  
/WE  
/CS  
LDQM  
/RAS  
BA1  
A1  
CLK  
A11  
A7  
G
H
J
A8  
A6  
A10  
VDD  
VSS  
A5  
A4  
A3  
A2  
< Top View >  
Rev. 1.3 / Dec. 01  
3

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