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HY5W2A6CSF-H

更新时间： 2024-02-27 23:40:26

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24页	407K
描述
SDRAM\|4X2MX16\|CMOS\|BGA\|54PIN\|PLASTIC

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HY5W2A6CSF-H 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	10.5 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	8MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8/2.5,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.07 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8.3 mm	Base Number Matches：	1

HY5W2A6CSF-H 数据手册

HY5W2A6C(L/S)F / HY57W2A1620HC(L/S)T

HY5W26CF / HY57W281620HCT

BALL CONFIGURATION

54 Ball

FBGA

0.8 mm

Ball Pitch

< Bottom View >

VSS

DQ14

DQ12

DQ10

DQ8

UDQM

DQ15

DQ13

DQ11

DQ9

VSSQ

VDDQ

VSSQ

VDDQ

VSS

CKE

VDDQ

DQ0

VDD

VSSQ

VDDQ

VSSQ

VDD

/CAS

BA0

DQ2

DQ4

DQ6

DQ1

DQ3

DQ5

DQ7

/WE

/CS

LDQM

/RAS

BA1

CLK

A11

A10

VDD

VSS

< Top View >

Rev. 1.3 / Dec. 01

123 4 5 6 7...24

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与HY5W2A6CSF-H相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5W2A6CSF-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5W2A6CSF-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5W2A6CSF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5W2A6CSF-S	ETC	SDRAM\|4X2MX16\|CMOS\|BGA\|54PIN\|PLASTIC	获取价格
HY5W2B6DLF-HE	HYNIX	4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY5W2B6DLFP-HE	HYNIX	4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格