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HY5V72DLM-H

更新时间： 2024-01-20 10:47:14

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海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	284K
描述
Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

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HY5V72DLM-H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	90	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	长度：	13 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

Preliminary

HY5V72D(L/S)M(P) Series

4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM

PACKAGE INFORMATION

90Ball FBGA with 0.8mm of pin pitch

66.4400

(Ballll--ssiiddee vviieeww))

0.80 ((ttyypp))

pin#11

IID

0.80 ((ttyypp))

11.200

13.000++//--00..11

6.50++//--00..55

5.60++//--00..55

0.5

5.5500++//--00..55

11.000

1.40

0..966++//--00..0055

sseattiinngg ppllaannee

Rev. 0.2 / May. 2004

1...10 11 1213

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V72DLMP-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	获取价格
HY5V72DLMP-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	获取价格
HY5V72DM-H	HYNIX	DRAM	获取价格
HY5V72DM-P	HYNIX	DRAM	获取价格
HY5V72DMP-P	HYNIX	DRAM	获取价格
HY5V72DSM-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	获取价格