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HY5V62DSFP-55

更新时间： 2024-02-25 22:56:01

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	1750K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90

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HY5V62DSFP-55 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	183 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5V62DSFP-55 数据手册

111Preliminary

Synchronous DRAM Memory 64Mbit (2Mx32bit)

HY5V62D(L/S)F(P) Series

BALL CONFIGURATION

VDD

VDDQ

DQ22

DQ17

DQ23

VSSQ

DQ20

DQ18

DQ16

DQM2

DQ21

DQ19

VDDQ

VSSQ

VDD

DQ26

DQ28

VSSQ

VDDQ

VSSQ

DQ24

VDDQ

DQ27

DQ29

DQ31

DQM3

VSS

VSSQ

DQ25

DQ30

A10

Top

View

BA1

/CS

/RAS

DQM0

VSSQ

VDDQ

DQ4

CLK

CKE

BA0

DQM1

VDDQ

VSSQ

DQ11

DQ13

/CAS

VDD

DQ6

DQ1

VDDQ

VDD

/WE

DQ8

VSS

DQ9

DQ14

VSSQ

VSS

DQ7

DQ5

DQ3

VSSQ

DQ0

DQ10

DQ12

VDDQ

DQ15

DQ2

Rev. 0.3 / Feb. 2005

1 234 5 6 7...13

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与HY5V62DSFP-55相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V62DSFP-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE	获取价格
HY5V62DSFP-7	HYNIX	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE	获取价格
HY5V66DF6-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 6.40 MM, FBGA-60	获取价格
HY5V66DF6P-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60	获取价格
HY5V66DF6P-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60	获取价格
HY5V66DF6P-S	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60	获取价格