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HY5V62DSFP-55

更新时间: 2024-02-03 12:27:30
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 1750K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90

HY5V62DSFP-55 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA90,9X15,32
针数:90Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.84访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):183 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B90
JESD-609代码:e1长度:13 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:90
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA90,9X15,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.26 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY5V62DSFP-55 数据手册

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111Preliminary  
Synchronous DRAM Memory 64Mbit (2Mx32bit)  
HY5V62D(L/S)F(P) Series  
PACKAGE INFORMATION  
90 Ball FBGA, 8mm x 13mm x 1.2mm, 0.8mm pitch  
Unit [mm]  
8.00± 0.10  
A1 Index Mark  
0.8(Typ)  
0.8  
6.40 BSC  
±
0.450  
0.05  
Bottom  
View  
±
±
0.05  
3.20  
0.05  
4.00  
±
0.340  
0.05  
1.2 max  
Side View  
Rev. 0.3 / Feb. 2005  
13  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY5V62DSFP-6 HYNIX Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE

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HY5V62DSFP-7 HYNIX Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE

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