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HY5V62DSFP-55

更新时间： 2024-01-07 13:28:26

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	1750K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90

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HY5V62DSFP-55 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	183 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5V62DSFP-55 数据手册

111Preliminary

Synchronous DRAM Memory 64Mbit (2Mx32bit)

HY5V62D(L/S)F(P) Series

ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Parameter

Symbol

Rating

Unit

^oC

Ambient Temperature

0 ~ 70

^oC

Storage Temperature

TSTG

VIN, VOUT

VDD

-55 ~ 125

-1.0 ~ 4.6

Voltage on Any Pin relative to VSS

Voltage on VDD relative to VSS

Voltage on VDDQ relative to VSS

Short Circuit Output Current

Power Dissipation

VDDQ

IOS

Soldering Temperature ^.Time

260 ^.10

^oC ^.Sec

TSOLDER

DC OPERATING CONDITION (TA= 0 to 70 C )

Parameter

Power Supply Voltage

Input High Voltage

Input Low Voltage

Symbol

VDD, VDDQ

VIH

Min

3.0

Typ

3.3

3.0

Max

Unit

Note

3.6

2.0

VDDQ + 0.3

0.8

1, 2

1, 3

VIL

-0.3

Note: 1. All voltages are referenced to VSS = 0V

2. VIH(max) is acceptable 5.6V AC pulse width with <= 3ns of duration.

3. VIL(min) is acceptable -2.0V AC pulse width with <= 3ns of duration

AC OPERATING TEST CONDITION (TA= 0 to 70 C, VDD=3.3±0.3V, VSS=0V)

Parameter

AC Input High / Low Level Voltage

Symbol

VIH / VIL

Vtrip

Value

2.4 / 0.4

1.4

Unit

Note

Input Timing Measurement Reference Level Voltage

Input Rise / Fall Time

tR / tF

Voutref

Output Timing Measurement Reference Level Voltage

Output Load Capacitance for Access Time Measurement

1.4

Note 1.

Vtt=1.4V

RT=500 Ω

RT=50 Ω

Output

Z0 = 50Ω

Output

30pF

DC Output Load Circuit

AC Output Load Circuit

Rev. 0.3 / Feb. 2005

1...4 5 678 9 10...13

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与HY5V62DSFP-55相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V62DSFP-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE	获取价格
HY5V62DSFP-7	HYNIX	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE	获取价格
HY5V66DF6-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 6.40 MM, FBGA-60	获取价格
HY5V66DF6P-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60	获取价格
HY5V66DF6P-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60	获取价格
HY5V66DF6P-S	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 6.40 MM, LEAD FREE, FBGA-60	获取价格

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