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HY5DU12822DT-K

更新时间： 2024-01-07 17:57:13

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
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29页	233K
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512Mb DDR SDRAM

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HY5DU12822DT-K 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.194 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.34 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

512Mb DDR SDRAM

HY5DU12822D(L)TP

HY5DU121622D(L)TP

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

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Rev. 1.0 / May 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5DU12822DT-L	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
HY5DU12822DT-LI	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
HY5DU12822DTP-D43	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
HY5DU12822DTP-D43I	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T
HY5DU12822DTP-H	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
HY5DU12822DTP-HI	HYNIX	获取价格	暂无描述
HY5DU12822DTP-J	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
HY5DU12822DTP-JI	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T
HY5DU12822DTP-K	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM
HY5DU12822DTP-L	HYNIX	获取价格	512Mb DDR SDRAM