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HY57V281620AT-7

更新时间: 2024-02-11 20:43:45
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 97K
描述
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

HY57V281620AT-7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.49访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):143 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP54,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.24 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HY57V281620AT-7 数据手册

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HY57V281620A  
AC CHARACTERISTICS II  
-6  
-7  
-K  
-H  
-8  
-P  
-S  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Note  
Min  
60  
60  
18  
42  
18  
12  
1
Max  
Min  
65  
65  
20  
45  
20  
14  
1
Max  
Min  
60  
60  
15  
45  
15  
15  
1
Max  
Min  
65  
65  
20  
45  
20  
15  
1
Max  
Min  
68  
68  
20  
48  
20  
16  
1
Max  
Min  
70  
70  
20  
50  
20  
20  
1
Max  
Min  
70  
70  
20  
50  
20  
20  
1
Max  
Operation  
Auto Refresh  
tRC  
-
-
-
-
-
-
-
ns  
ns  
RAS Cycle Time  
tRRC  
tRCD  
tRAS  
tRP  
-
-
-
-
-
-
-
RAS toCAS Delay  
RAS Active Time  
-
-
-
-
-
-
-
ns  
100K  
100K  
100K  
100K  
100K  
100K  
100K  
ns  
RAS Precharge Time  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns  
RAS toRAS Bank Active Delay  
CAS toCAS Delay  
tRRD  
tCCD  
tWTL  
tDPL  
tDAL  
tDQZ  
tDQM  
tMRD  
ns  
-
-
-
-
-
-
-
CLK  
CLK  
CLK  
CLK  
CLK  
CLK  
CLK  
CLK  
CLK  
CLK  
CLK  
ms  
Write Command to Data-In Delay  
Data-In to Precharge Command  
Data-In to Active Command  
DQM to Data-Out Hi-Z  
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
2
-
2
-
2
-
2
-
1
-
1
-
1
-
5
-
5
-
4
-
5
-
4
-
3
-
3
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
DQM to Data-In Mask  
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
MRS to New Command  
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CAS Latency = 3 tPROZ3  
CAS Latency = 2 tPROZ2  
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
Precharge to Data  
Output Hi-Z  
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
Power Down Exit Time  
Self Refresh Exit Time  
Refresh Time  
tPDE  
tSRE  
tREF  
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
64  
-
64  
-
64  
-
64  
-
64  
-
64  
-
64  
Note :  
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit  
Rev. 1.3/Aug. 01  
9

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HY57V281620AT-8 HYNIX 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

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HY57V281620BLT ETC 8Mx16|3.3V|4K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 128M

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HY57V281620BLT-6 HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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HY57V281620BLT-7 HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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HY57V281620BLT-K HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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HY57V281620BLT-P HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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HY57V281620BT ETC 8Mx16|3.3V|4K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 128M

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HY57V281620BT-6 HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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HY57V281620BT-8 HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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HY57V281620BT-H HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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HY57V281620BT-K HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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