Datasheet > HY57V281620AT-7

HY57V281620AT-7

更新时间： 2024-01-30 14:39:59

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	97K
描述
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY57V281620AT-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.49	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
长度：	22.22 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.24 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HY57V281620AT-7 数据手册

HY57V281620A

CAPACITANCE (TA=25°C, f=1MHz)

-6/7/K/H

-8/P/S

Unit

Parameter

Symbol

Min

Max

Min

Max

Input capacitance

CLK

CI1

CI2

2.5

3.5

3.8

2.5

4.0

5.0

A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,

WE, UDQM, LDQM

Data input / output capacitance

DQ0 ~ DQ15

CI/O

4.0

6.5

4.0

6.5

OUTPUT LOAD CIRCUIT

Vtt=1.4V

RT=250 W

Output

50pF

DC Output Load Circuit

AC Output Load Circuit

DC CHARACTERISTICS I(TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V)

Parameter

Symbol

Min.

Max

Unit

Note

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Output High Voltage

Output Low Voltage

ILI

-1

ILO

VOH

VOL

2.4

IOH = -4mA

IOL = +4mA

0.4

Note :

1.VIN = 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V IN =0V

2.DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6

Rev. 1.3/Aug. 01

1 2 3 456 7 8...13

下载PDF

与HY57V281620AT-7相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY57V281620AT-8	HYNIX	4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY57V281620AT-H	HYNIX	4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY57V281620AT-HI	HYNIX	4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY57V281620AT-I	ETC	8Mx16\|3.3V\|4K\|K\|SDR SDRAM - 128M	获取价格
HY57V281620AT-K	HYNIX	4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格
HY57V281620AT-KI	HYNIX	4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM	获取价格