5秒后页面跳转
HY534256ALJ-50 PDF预览

HY534256ALJ-50

更新时间: 2024-01-10 13:03:28
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 322K
描述
x4 Fast Page Mode DRAM

HY534256ALJ-50 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ20/26,.34
针数:20Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.55访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:50 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J20
JESD-609代码:e0长度:17.15 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ20/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:3.76 mm最大待机电流:0.0002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.09 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

HY534256ALJ-50 数据手册

 浏览型号HY534256ALJ-50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY534256ALJ-50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY534256ALJ-50的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY534256ALJ-50的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY534256ALJ-50的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY534256ALJ-50的Datasheet PDF文件第7页 

与HY534256ALJ-50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY534256ALJ-60 ETC

获取价格

x4 Fast Page Mode DRAM
HY534256ALJ-70 ETC

获取价格

x4 Fast Page Mode DRAM
HY534256ALJ-80 ETC

获取价格

x4 Fast Page Mode DRAM
HY534256ALS HYNIX

获取价格

256K x 4-bit CMOS DRAM
HY534256ALS-60 ETC

获取价格

x4 Fast Page Mode DRAM
HY534256ALS-70 ETC

获取价格

x4 Fast Page Mode DRAM
HY534256ALS-80 ETC

获取价格

x4 Fast Page Mode DRAM
HY534256AS HYNIX

获取价格

256K x 4-bit CMOS DRAM
HY534256AS-60 ETC

获取价格

x4 Fast Page Mode DRAM
HY534256AS70 ETC

获取价格

IC-1MB CMOS DRAM