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HY534256S-10

更新时间: 2024-02-28 09:12:42
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 1531K
描述
x4 Fast Page Mode DRAM

HY534256S-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:DIP, DIP20,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.79最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T20
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
端子数量:20字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP20,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.06 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HY534256S-10 数据手册

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