是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 120 ns |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 1 |
端子数量: | 16 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX1 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP16,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 256 | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.045 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY53C256S-70 | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM |
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HY53C256S-80 | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM |
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HY53C464F-10 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM |
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HY53C464F-12 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, PQCC18 |
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HY53C464F-70 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM |
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HY53C464F-80 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM |
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HY53C464LF-10 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM |
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HY53C464LF-12 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM |
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HY53C464LF-70 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM |
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HY53C464LF-80 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM |
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