是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | QCCJ, LDCC18,.33X.53 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 120 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQCC-J18 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 4 |
端子数量: | 18 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC18,.33X.53 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 256 | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.045 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY53C464F-70 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM | |
HY53C464F-80 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM | |
HY53C464LF-10 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM | |
HY53C464LF-12 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM | |
HY53C464LF-70 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM | |
HY53C464LF-80 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM | |
HY53C464LS-10 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM | |
HY53C464LS-12 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, PDIP18 | |
HY53C464LS-70 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 64KX4, 70ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18 | |
HY53C464LS-80 | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM |