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HY534256J-80

更新时间： 2024-02-19 20:02:37

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HY534256J-80 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ20/26,.34	针数：	20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.85
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J20	JESD-609代码：	e0
长度：	17.15 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ20/26,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	3.76 mm
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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