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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.89 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 80 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 26.238 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 512 |
| 座面最大高度： | 4.318 mm | 最大待机电流： | 0.0002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY534256AS | HYNIX |
获取价格 |
256K x 4-bit CMOS DRAM |
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| HY534256AS-60 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
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| HY534256AS70 | ETC |
获取价格 |
IC-1MB CMOS DRAM |
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| HY534256AS-70 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
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| HY534256AS-80 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
|
| HY534256J-10 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
|
| HY534256J-60 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
|
| HY534256J-70 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
|
| HY534256J-80 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
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| HY534256S-10 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
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