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HY51V17800BLJ-70

更新时间: 2024-11-04 15:44:55
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 61K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, 0.300 INCH, SOJ

HY51V17800BLJ-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:2MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HY51V17800BLJ-70 数据手册

  

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