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HY51V17405BJC-70

更新时间: 2024-11-03 20:50:27
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 344K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

HY51V17405BJC-70 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ24/26,.4针数:24
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.43
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0长度:17.15 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ24/26,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:3.76 mm最大待机电流:0.0005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):3.47 V最小供电电压 (Vsup):3.13 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

HY51V17405BJC-70 数据手册

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