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HY51V16410AJ-80

更新时间： 2024-11-03 21:10:35

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	472K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

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HY51V16410AJ-80 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J24
长度：	17.15 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	3.76 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V16410AJC-60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY51V16410AJC-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24
HY51V16410AJC-80	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24
HY51V16410AR-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
HY51V16410ARC-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24
HY51V16410ARC-70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY51V16410ARC-80	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24
HY51V16410ASLJ-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
HY51V16410ASLJC-60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY51V16410ASLJC-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24