是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP2, TSSOP20/26,.36 |
针数: | 20 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 50 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G20 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.14 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 20 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSSOP20/26,.36 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.11 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY514404AT60 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HY514404AT70 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HY514404AT-70 | HYNIX |
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EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20 |
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HY514404BJ-50 | HYNIX |
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EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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HY514404BJ-60 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HY514404BJ-70 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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HY514404BLJ-60 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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HY514404BLJ-70 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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HY514404BLR-60 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20 |
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HY514404BLT-50 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20 |
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