是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP24/26,.36 | 针数: | 26 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 60 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 17.14 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP24/26,.36 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY514403BT-70 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
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HY514404AJ50 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HY514404AJ-50 | HYNIX |
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EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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HY514404AJ60 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HY514404AJ70 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HY514404AJ-70 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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HY514404ALJ50 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HY514404ALJ-50 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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HY514404ALJ60 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HY514404ALJ-60 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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