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HY514404AJ-70

更新时间： 2024-02-08 10:32:23

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	350K
描述
EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

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HY514404AJ-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
针数：	20	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.56	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J20
JESD-609代码：	e0	长度：	17.15 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ20/26,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	3.76 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY514404ALJ50	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY514404ALJ-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
HY514404ALJ60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY514404ALJ-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
HY514404ALJ70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY514404ALJ-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
HY514404ALR-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20
HY514404ALT50	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY514404ALT-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
HY514404ALT60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM