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HY27US08561A-TEP

更新时间： 2024-11-23 19:18:07

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
47页	423K
描述
Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48

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HY27US08561A-TEP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.91
最长访问时间：	30 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e6	长度：	18.4 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	2K	端子数量：	48
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	32MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

HY27US08561A-TEP 数据手册

HY27US(08/16)561A Series

HY27SS(08/16)561A Series

256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash

Document Title

256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash Memory

Revision History

Revision

History

No.

Draft Date

Remark

0.0

Apr. 04. 2005

Preliminary

Initial Draft.

1) Change AC Parameter

tCRY(1.8V)

Before

After

50+tr(R/B#)

60+tr(R/B#)

0.1

Jul. 07. 2005

Preliminary

2) Change 256Mb Package Type.

- WSOP package is changed to USOP package.

- Figure & dimension are changed.

1) Correct the test Conditions (DC Characteristics table)

Test Conditions (ICC1)

Test Conditions (ILI, ILO)

tRC=50ns,

CE#=VIL,

IOUT=0mA

Before

After

VIN=VOUT=0 to 3.6V

tRC(1.8V=60ns,

3.3V=50ns)

CE#=VIL,

VIN=VOUT=0 to Vcc (max)

IOUT=0mA

2) Change AC Conditions table

0.2

Aug. 08. 2005 Preliminary

3) Add tWW parameter ( tWW = 100ns, min)

- Texts & Figures are added.

- tWW is added in AC timing characteristics table.

4) Edit Copy Back Program operation step

5) Edit System Interface Using CE don’t care Figures.

6) Correct Address Cycle Map.

7) Change NOP (table 11)

Main Array

Spare Array

Before

After

Rev 0.5 / Jun. 2006

12 3 4 5 6 7...47

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HY27US08561A-TPCB	HYNIX	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48
HY27US08561A-TPCS	HYNIX	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48
HY27US08561A-TPEP	HYNIX	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48
HY27US08561A-TPMB	HYNIX	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48
HY27US08561A-TPMP	HYNIX	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48
HY27US08561M	HYNIX	获取价格	256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27US08561M-FCP	HYNIX	获取价格	Flash, 32MX8, 10000ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
HY27US08561M-FEB	HYNIX	获取价格	Flash, 32MX8, 10000ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
HY27US08561M-FES	HYNIX	获取价格	Flash, 32MX8, 10000ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

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