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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, BGA63,10X12,32 | 针数： | 63 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.83 |
| 最长访问时间： | 30 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 11 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 2K | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 页面大小： | 512 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1 mm | 部门规模： | 16K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 切换位： | NO | 类型： | SLC NAND TYPE |
| 宽度： | 9 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HY27US08561A-FPMB | HYNIX | Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-63 |
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| HY27US08561A-SEB | HYNIX | Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, USOP1-48 |
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| HY27US08561A-SIB | HYNIX | Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, USOP1-48 |
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| HY27US08561A-SIS | HYNIX | Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, USOP1-48 |
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| HY27US08561A-SMS | HYNIX | Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, USOP1-48 |
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| HY27US08561A-SPCB | HYNIX | Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, USOP1-48 |
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