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HY23V08200D-120 PDF预览

HY23V08200D-120

更新时间： 2024-02-18 10:59:02
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 82K
描述
MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42

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HY23V08200D-120 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：42
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.84
最长访问时间：120 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDIP-T42长度：52.451 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：42字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.826 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

HY23V08200D-120 数据手册

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512K X 16/1M X 8 BIT  
CMOS MASK ROM  
HY23V08200  
Description  
The HY23V08200 high performance read only memory is organized either as 1,048,576 x 8 bit (byte mode) or  
as 524,288 x 16 bit(word mode) followed by BHE mode select. The low power feature allows the battery  
operation.  
The large size of 8M bit memory density is ideal for character generator, data or program  
memory in micro-processor application. The HY23V08200 is packaged 42pin DIP or 44 pin SOP.  
Pin Description  
Key features  
• Switchable Organization  
Pin  
Function  
Byte Mode : 1,048,576 X 8 bit  
Word Mode : 524,288 X 16 bit  
• Single 3.3V power supply operation  
• Access Time : 100/120ns (Max)  
• Standby Current : 50 (Max)  
• Operating Current : 35 (Max)  
• TTL compatible inputs and outputs  
• 3-State outputs for wired-OR expansion  
• Word or Byte switchable by BHE pin  
• Programmable CE or OE pin  
• Fully static operation  
A0~A18  
Address inputs  
Data Outputs  
Q0~Q14  
Q15/A-1  
Output Q15(Word Mode)/  
LSB Address(Byte Mode)  
BHE  
Byte High Enable input  
(Word/Byte selection)  
CEB*  
OEB*  
VCC  
VSS  
NC  
Chip Enable input  
Output Enable input  
Power supply  
Ground  
• Package  
HY23V08200D  
HY23V08200S  
: 42pin Plastic DIP(600 mil)  
: 44pin Plastic SOP(500mil)  
No Connection  
* User selectable polarity  
Pin Configuration  
NC  
A18  
A17  
1
2
3
4
5
6
7
8
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
NC  
NC  
A8  
A18  
A17  
1
2
3
42  
41  
40  
NC  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
A9  
A7  
A6  
A5  
A4  
A9  
A10  
A11  
A12  
4
5
6
7
39  
38  
37  
36  
A10  
A11  
A12  
A3  
A13  
A3  
A13  
A2  
A1  
A0  
A14  
8
35  
A2  
A1  
A14  
9
36  
35  
34  
33  
A15  
9
10  
34  
33  
10  
11  
12  
A15  
A16  
42DIP  
44SOP  
A0  
A16  
CEB 11  
32  
31  
BHE  
VSS  
Q15/A-1  
Q7  
CEB  
BHE  
VSS  
Q15/A-1  
Q7  
12  
VSS  
OEB  
Q0  
VSS 13  
32  
31  
30  
13  
14  
15  
30  
29  
28  
OEB  
Q0  
14  
15  
Q8  
Q14  
16  
29  
Q8  
Q14  
Q1  
Q9  
Q6  
16  
17  
27  
26  
Q1  
Q9  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
Q6  
Q13  
Q13  
Q2  
Q5  
18  
19  
25  
24  
Q2  
Q5  
Q10  
Q3  
Q12  
Q4  
Q10  
Q3  
Q12  
Q4  
20  
21  
23  
22  
Q11  
VCC  
Q11  
VCC  
HY23V08200D  
HY23V08200S  
Rev0 Page 1 of 6  
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与HY23V08200D-120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY23V08200D-70 HYNIX

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 		MASK ROM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
HY23V08200S-100 HYNIX

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 		MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
HY23V08200S-120 HYNIX

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 		MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
HY23V08200S-70 HYNIX

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 		MASK ROM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
HY23V08250D-100 HYNIX

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HY23V08250D-120 HYNIX

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 		MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
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 		MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
HY23V16202 ETC

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 		1MX16/2MX8 BIT CMOS MASK ROM
HY23V16202D ETC

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 		1MX16/2MX8 BIT CMOS MASK ROM

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