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HX6218DVFT

更新时间: 2024-01-11 20:34:11
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其他 - ETC 先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
16页 798K
描述
x18 Synchronous FIFO

HX6218DVFT 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:GQFF,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.68
最长访问时间:30 ns周期时间:34 ns
JESD-30 代码:S-CQFP-F132长度:24.13 mm
内存密度:36864 bit内存宽度:18
功能数量:1端子数量:132
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX18
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:GQFF封装形状:SQUARE
封装形式:FLATPACK, GUARD RING并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.7686 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:FLAT端子节距:0.635 mm
端子位置:QUAD宽度:24.13 mm
Base Number Matches:1

HX6218DVFT 数据手册

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